浙江黑碳化硅磨料推荐 正拓

黑碳化硅微粉粘渣与哪些因素有关？

      由被测炉渣粘度和温降关系可以看出，随温度下降，粘度不断增大，当温降至临界点时，黑碳化硅微粉粘度变化出现明显拐点，在该点，炉渣失去流动性，是典型的碱性渣--短渣或不稳定性渣，在高温区域时，温度降低粘度只稍有增大，但降至一定温度粘度突然急剧增大，凝固过程的温度范围较窄。碱性渣的结晶性能强，在接近液相线温度时仍有大量晶体析出，熔渣变成非均相使得粘度迅速增大，挂渣现象增加。

　　精炼方式不同，包渣成分也不相同，在这个多元组分渣体中，凝固生成矿物相形同，这些矿物都具有高熔点，容易析晶凝固，在液态的渣池中，局部或者大面积温降等因素变化。达到矿物相析晶临界点时，瞬间结晶凝固。粘度增大，失去流动性，停留并粘附在包衬上，浇注结束后，钢包温降达到，上述粘渣过程进行快，并且温降时间越长，高熔点矿物相生成越多，粘渣几率越大。

黑碳化硅微粉生产线碳化硅微粉磨生产线主要包括以下几个阶段，冶炼、粗碎、细碎、磨粉、水洗、酸洗、烘干、分号、投放市场。其中磨粉设备有很多种规格，主要有：球磨机、气流对喷磨、雷蒙磨粉机、涡流式粉碎机等 球磨机含铁量大（若使用瓷球可避免此缺陷），粒度大小分布不均，不易控制，形状偏离于棱体，在前期碳化硅微粉生产中，球磨机扮演了主力角色。但是随着生产工艺的不断改进，客户对微粉产量的要求，球磨机在生产过程中的缺陷逐渐凸显。气流对喷磨是新兴技术，主要原理是利用高速气流对颗粒进行载流相互撞击而产生微粉，这种方法在电子行业硅微粉制作中起了关键的作用。

黑碳化硅氧化的原因

       黑碳化硅材料在普通条件下（如大气1000℃-2000℃）具有较好的性能，这是由于在高温条件下，材料表面形成了一层非常薄的、致密的、与基体集合牢固的SiO2膜，氧在SiO2氧化膜中的扩散系数非常小，因此材料的氧化非常缓慢。材料在这种富氧条件下的缓慢氧化称为惰性氧化。但在某些条件下，如在足够高的温度下或较低的氧分压下，SiC转化为挥发性的SiO2保护膜被环境腐蚀，这将导致材料被快速氧化，即产生活性氧化。而硅材料在使用过程中经常会遇到这种环境。到目前为止，对材料在高温、氧化气氛中，硅材料表面会生成致密的SiO2膜，它的反应为：

　　SiC+3/2O2→ SiO2+CO

　　SiC+2O2 →Sio2+CO2

　　表层SiC到SiO2的转变导致材料的净重增加。这是惰性氧化的特性之一。但是研究表明，SiC的早期氧化产物为玻璃台态SiO2膜。随着氧化温度的升高，约800~1140℃，玻璃态SiO2膜发生晶化。相变将产生体积变化，这使得SiO2保护膜结构变得疏松，进而同黑碳化硅基体集合不牢。这样，其氧化保护作用骤减。另外，当黑碳化硅材料循环使用时，由于SiO2在500℃以下热膨胀系数变化较大，而基材的热膨胀系数变化不大，这样，保护膜与基材间热应力变化较大，保护膜易。对于空隙较多的制品，如氮化硅结合材料，会发生晶界颈部氧化，产生的SiO2导致晶界处体积膨胀，膨胀应力将会导致制品破坏：的惰性氧化会产生气体产物，这将产泡现象，使SiO2膜的氧化保护作用减小。

　　黑碳化硅出现氧化主要是由于高温或低氧分压的状况下导致其表层被外界侵蚀且发生反应，所以为了保证其使用效果就需要我们在使用时严格把控温度和环境等外界因素，从而确保材料的优良属性不会被破坏。

黑碳化硅微粉在电力电子中的应用

      黑碳化硅微粉在电力电子行业的发展，我们可以说一下碳化硅功率器件固态变压器这个例子，随着分布式发电系统、智能电网技术以及可再生能源的发展，固态变压器作为其中的关键技术受到广泛关注。

　　固态变压器是一种以电力电子技术为***的变电装置，它通过电力电子变流器和高频变压器实现电力系统中的电压变换和能量传递及控制，以取代电力系统中的传统的工频变压器。与传统变压器相比，具有体积小、重量轻等优点，同时具有传统变压器所不具备的诸多优点，包括供电质量高、功率因数高、自动限流、具备无功补偿能力、频率变换、输出相数变换以及便于自动监控等优点。固态变压器的输入侧电压等级非常高，一般在数千至数万伏，目前多采用拓扑或器件串联的方式，结构较为复杂。

　　黑碳化硅微粉在电力电子中的使用主要是器件的制造，它的使用可以使装置的性能更加稳定，简化了结构，提升了其可靠性，可以说是一种不错的材质，因为它使用在里面我们是看不到的，但我们在使用过程中就可以感受到其性能了。