黑碳化硅微粉用途承诺守信,南京正拓磨料

黑碳化硅颗粒的各种性质及基本结构

由于天然形成的碳化硅很少，生活中绝大多数的碳化硅都是人为加工而来。碳化硅具有很强的硬度，可以作为一种重要的磨料使用。但是区别于其他普通的磨料碳化硅有多方面的性能，可以运用到各个领域，它具有的耐高温性、导热性，导电性等等

碳化硅具有的耐高温性和导热性，使它成为隧道窑或梭式窑的优选窑具材料之一，它所具有的导电性使其成为一种重要的电加热元件等。碳化硅是一种典型的共价键结合的稳定化合物。从理论上讲，碳化硅均由SiC四面体堆积而成，所不同的只是平行结合或反平行结合。SiC有75种变体,所有这些结构可分为方晶系、六方晶系和菱形晶系。α-SiC是高温稳定型,β-SiC是低温稳定型。β-SiC在2100～2400℃可转变为α-SiC，β-SiC可在1450℃左右温度下由简单的硅和碳混合物制得。利用透射电子显微镜和X射线衍射检测技术可对SiC显微体进行多型体分析和定量测定。为了区别各种不同的结构,需要有相应的命名方法。命名方法常用的是：把低温类型的立方碳化硅叫做β—SiC，而其余六方的、菱形的晶胞结构一律称为α—SiC。这种命名方法与相律惯例以及矿物学命名都不相符，但因其很方便，也就颇为流行。

黑碳化硅中硅的测定

1、检测办法：硅的含量需要原子吸收检测，这种方法检测，数值较。

2、黑碳化硅检测需要颗粒分析仪。可以分析颗粒形状系数 圆度。

3、黑碳化硅径需要电阻法颗粒分析仪，这样的话。

4、微粉的主要分析检测方法：碳化硅中硅的含量决定碳化硅的硬度。碳化硅的粒径大小对线切割影响很大，但的是碳化硅的颗粒形状。因为线切割时碳化硅为游离状态切割颗粒的形状变化对切割效率及切割质量要重要影响。

黑碳化硅微粉中硅的含量决定其硬度

1、黑碳化硅微粉中硅的含量决定其硬度，碳化硅的粒径大小对线切割影响很大，但重要的是碳化硅的颗粒形状。绿碳化硅是以石油焦和硅石为主要原料，添加作为添加剂，通过电阻炉高温冶炼而成。其硬度介于刚玉和金刚石之间，机械强度高于刚玉；

2、黑碳化硅微粉呈绿色，晶体结构，硬度高，切削能力较强，化学性质稳定，导热性能好。微观形状呈六方晶体,碳化硅的莫氏硬度为9.2，威氏显微硬度为3000--3300公斤/毫米，努普硬度为2670—2815公斤/毫米，显微硬度3300千克每立方毫米。

黑碳化硅氧化的原因

       黑碳化硅材料在普通条件下（如大气1000℃-2000℃）具有较好的性能，这是由于在高温条件下，材料表面形成了一层非常薄的、致密的、与基体集合牢固的SiO2膜，氧在SiO2氧化膜中的扩散系数非常小，因此材料的氧化非常缓慢。材料在这种富氧条件下的缓慢氧化称为惰性氧化。但在某些条件下，如在足够高的温度下或较低的氧分压下，SiC转化为挥发性的SiO2保护膜被环境腐蚀，这将导致材料被快速氧化，即产生活性氧化。而硅材料在使用过程中经常会遇到这种环境。到目前为止，对材料在高温、氧化气氛中，硅材料表面会生成致密的SiO2膜，它的反应为：

　　SiC+3/2O2→ SiO2+CO

　　SiC+2O2 →Sio2+CO2

　　表层SiC到SiO2的转变导致材料的净重增加。这是惰性氧化的特性之一。但是研究表明，SiC的早期氧化产物为玻璃台态SiO2膜。随着氧化温度的升高，约800~1140℃，玻璃态SiO2膜发生晶化。相变将产生体积变化，这使得SiO2保护膜结构变得疏松，进而同黑碳化硅基体集合不牢。这样，其氧化保护作用骤减。另外，当黑碳化硅材料循环使用时，由于SiO2在500℃以下热膨胀系数变化较大，而基材的热膨胀系数变化不大，这样，保护膜与基材间热应力变化较大，保护膜易。对于空隙较多的制品，如氮化硅结合材料，会发生晶界颈部氧化，产生的SiO2导致晶界处体积膨胀，膨胀应力将会导致制品破坏：的惰性氧化会产生气体产物，这将产泡现象，使SiO2膜的氧化保护作用减小。

　　黑碳化硅出现氧化主要是由于高温或低氧分压的状况下导致其表层被外界侵蚀且发生反应，所以为了保证其使用效果就需要我们在使用时严格把控温度和环境等外界因素，从而确保材料的优良属性不会被破坏。